芯片制程是衡量集成电路技术水平的核心指标，指代芯片内部晶体管的关键尺寸，制程数值越小，代表晶体管尺寸越小、集成度越高、芯片性能越强、功耗越低。六十余年的产业发展中，芯片制程遵循摩尔定律持续迭代，从早期微米级别稳步迈进纳米时代，当前先进制程已突破2nm，持续推动电子设备向小型化、高性能、低功耗升级。
芯片制程的迭代有着清晰的进化逻辑，核心是提升集成度、压缩体积、降低功耗、提升算力。上世纪70年代，芯片制程为10微米级别，单颗芯片仅能集成数千个晶体管，仅能满足基础计算器、小型计算机的运算需求；80-90年代，制程迭代至1微米、0.5微米、0.18微米，大规模集成电路成型，个人电脑、传统通信设备逐步普及；21世纪初，制程进入纳米时代，90nm、65nm、45nm、28nm制程陆续商用，智能手机、平板设备快速普及，芯片集成度大幅提升，功能愈发丰富。
28nm是芯片制程迭代的重要分水岭，属于成熟制程与先进制程的分界点。28nm及以上制程技术成熟、成本可控、良品率高，适配绝大多数模拟芯片、功率芯片、工业控制芯片、物联网芯片，至今仍是全球产能占比最高的制程区间，市场需求稳定且持久。而28nm以下进入先进制程范畴，22nm、14nm、7nm、5nm、3nm、2nm持续迭代，主要适配高端手机处理器、AI算力芯片、服务器CPU、高端GPU等高算力、高集成度需求场景。
随着制程不断缩小，芯片产业逐渐逼近物理极限与工艺极限。当晶体管尺寸缩小至5nm、3nm级别时，会出现严重的量子隧穿效应，电子会不受控制地穿透晶体管栅极，导致芯片漏电、功耗飙升、稳定性下降，传统平面晶体管结构难以适配先进制程需求。为此，行业推出FinFET鳍式晶体管、GAA环绕栅极晶体管等新型结构，通过改变晶体管架构，解决先进制程的漏电问题，延续摩尔定律。同时，先进制程的研发成本、设备成本、建厂成本呈指数级增长，2nm制程的研发投入远超传统制程，技术壁垒与资金壁垒大幅提升，仅有少数企业具备先进制程量产能力。
当前产业已进入“超越摩尔时代”，单纯依靠制程缩小提升性能的路径逐渐放缓，行业开始通过Chiplet芯粒集成、三维堆叠、异构集成等新技术，在不依赖极致制程的前提下，提升芯片整体性能，成为未来集成电路发展的新方向。制程迭代放缓、多元集成技术崛起，将成为未来芯片产业的核心发展趋势。
